



載流子遷移率測量系統Paios主要用于太陽能電池在穩態,瞬態以及交流條件下的光電性能測量(載流子遷移率測量Photo-CELIV,瞬態光電流測量TPC、瞬態光電性能測量TPV、強度調制光電壓譜IMVS、強度調制光電流譜IMPS以及阻抗IS,CV等量測)為光電器件微觀機理研究提供了有力的測試平臺;多功能一體化高性能瞬態測試平臺,不但可以測量器件的載流子遷移率、載流子壽命、載流子動力學過程、阻抗等
產品型號:Paios 4.3
廠商性質:經銷商
更新時間:2025-09-17
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簡介:載流子遷移率測量系統Paios主要用于太陽能電池在穩態,瞬態以及交流條件下的光電性能測量(載流子遷移率測量Photo-CELIV,瞬態光電流測量TPC、瞬態光電性能測量TPV、強度調制光電壓譜IMVS、強度調制光電流譜IMPS以及阻抗IS,CV等量測)為光電器件微觀機理研究提供了有力的測試平臺;多功能一體化高性能瞬態測試平臺,不但可以測量器件的載流子遷移率、載流子壽命、載流子動力學過程、阻抗譜等,還可以對瞬態光電流譜TPC,瞬態光電壓譜TPV、強度調制光電流譜IMPS、強度調制光電壓譜IMVS等進行測量分析,全面分析器件中的載流子特性和瞬態過程。
可量測器件類型:
* 無機半導體光電器件,有機半導體光電器件;
* 有機太陽能電池OPV;
* 鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cell,鈣鈦礦LED;
* 無機太陽能電池(例如:單晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太陽能電池);
* 染料敏化太陽能電池DSSC;
主要測量功能:
* 最大功率點MPP、FF、Voc、Isc、VS 光強,遷移率(I-V測試 & I-V-L測試,空間電荷限制電流SCLC法)
* 載流子濃度,載流子動力學過程(瞬態光電流法 TPC)
* 載流子壽命,載流子符合動力學過程(瞬態光電壓/瞬態開路電壓法 TPV)
* 載流子遷移率(暗注入瞬態法 DIT,單載流子器件&OLED)
* 串聯電阻,幾何電容,RC時間(電壓脈沖法 Pulse Voltage)
* 參雜密度,電容率,串聯電阻,載流子遷移率(暗態線性增加載流子瞬態法 Dark-CELIV)
* 載流子遷移率,載流子密度(光照線性增加載流子瞬態法 Photo-CELIV)
* 載流子復合過程,朗之萬函數復合前因子(時間延遲線性增加載流子瞬態法 Delaytime-CELIV)
* 不同工作點的載流子強度,載流子遷移率(注入線性增加載流子瞬態法 Injection-CELIV)
* 幾何電容,電容率(MIS線性增加載流子瞬態法 MIS-CELIV)
* 陷阱強弱度,等效電路(阻抗譜測試 IS)
* 遷移率,陷阱強弱度,電容,串聯電阻(電容VS頻率 C-f)
* 內建電壓,參雜濃度,注入勢壘,幾何電容(電容VS電壓 C-V)
* 陷阱分析(深能級瞬態譜DLTS)
* 載流子傳輸時間分析(強度調制光電流譜 IMPS);
* 載流子復合時間、收集效率等分析(強度調制光光電壓譜IMVS);
* 點亮電壓(電流電壓照度特性 I-V-L)
* 發光壽命,載流子遷移率(瞬態電致發光法 TEL)
*載流子遷移率(TEL瞬態電致發光,Photo-CELIV線性增壓抽取載流子)
*OLED/鈣鈦礦LED發光特性測量(發光器件測量);
測量技術:
1)IV/IVL特性:IV和IVL曲線是針對OLED和OPV標準的量測手法,通過曲線可以得到樣品的電流電壓特性關系、電流電壓與光強的特性關系;
*對于有機半導體材料可通過空間電荷限制電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等;
2)瞬態光電流(TPC):研究載流子動力學過程和載流子密度等;
3)瞬態光電壓(TPV):研究載流子壽命和復合過程;
4) 雙脈沖瞬態光電流(Double Transient Photocurrent):分析電荷載流子俘獲動態過程;
5) 暗注入瞬態法(Dark Injection):對于單載流子器件和OLED,研究其載流子遷移率;
6) 電壓脈沖法(Voltage Pulse):串聯電阻、幾何電容和RC效應分析;
7) 暗態線性增壓載流子瞬態法(Dark-CELIV):參雜濃度、相對介電常數、串聯電阻、電荷載流子遷移率測量;
8) 光照線性增壓載流子瞬態法(Photo-CELIV):提取有機太陽能電池片內載流子遷移率mobility,及載流子濃度分析等;
9) 時間延遲線性增壓載流子瞬態法(Delaytime-CELIV):復合動態過程分析和Langevin復合因子分析等;
10)注入線性增壓載流子瞬態法(Injection-CELIV):電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測量分析;
11)MIS-CELIV:載流子遷移率量測
12)阻抗譜測量(Impedance Spectroscopy):器件等效電路分析等;
13)電容頻率測量法(C-f): 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯電阻測量;
14)電容電壓測量法(C-V):內建電壓、參雜濃度和幾何電容等測量;
15) 深能級瞬態譜(DLTS):陷阱分析;
16)強度調制光電流譜(IMPS):載流子傳輸時間分析;
17)強度調制光光電壓譜(IMVS):載流子復合時間、收集效率等分析;
18)瞬態電致發光測試(Transient Electroluminescence):抽取OLED器件的載流子,磷光壽命測量;